Akıllı telefonlarda ‘konsol kalitesinde’ oyun

Teknoloji Firmaları
Dünyanın 3 numaralı yarı iletken üreticisi olan Qualcomm’un yeni nesil yongasetine yönelik bilgiler gelmeye başladı. Yenişafak’ın haberine göre, 2 sene önceki tepe seviye yongaseti Snapdra...
EMOJİLE

Dünyanın 3 numaralı yarı iletken üreticisi olan Qualcomm’un yeni nesil yongasetine yönelik bilgiler gelmeye başladı.

Yenişafak’ın haberine göre, 2 sene önceki tepe seviye yongaseti Snapdragon 800 ile yakaladığı çıkışı, halihazırdaki lider çözümü Snapdragon 810’un aşırı ısınma sorunundan ötürü korumayan ve bu sebeple de bazı iş ortaklarını rakibi Mediatek’e kaptırmaya başlayan (örn. HTC One M9+) Qualcomm için Snapdragon 820 çok ama çok büyük bir önem taşıyor.

Son gelen raporlara baktığımızda, Qualcomm’un Snapdragon 820’ye yönelik çalışmalarını tamamladığını ve öncül numunelerin Sony, HTC ve Xiaomi gibi akıllı telefon üreticilerine gönderilmeye başlandığını okuyoruz.

Akıllı

FinFet ile birlikte 3B transistör kullanımına geçen Samsung bu sayede performansı %20 oranında arttırırken güç tüketiminde %35’lik bir gerileme sağlamayı başardı. Bu da son tahlilde en büyük sorun olan ısınmanın önüne geçilmesini sağladı.

İlk olarak temel teknik detaylarına bakalım, ardından diğer noktalara değinelim:

> 64-bit çekirdek mimarisi

> 14nm üretim teknolojisi

> 4+4 Kyro çekirdek (1.8GHz-3.0 GHz)

> Adreno 530 GPU

> LPDDR4 RAM desteği

> LTE-A Cat. 10 modem

Bizim en çok dikkatimizi çeken bilgi, işlemci çekirdeklerinin Samsung’a ürettirilecek oluşu ki bunun sebebi Samsung’un Galaxy S6’da yer verdiği kendi yongaseti olan Exynos 7420 ile birlikte kullanmaya başladığı 14nm’lik son üretim teknolojisi FinFet ile birlikte yakaladığı büyük başarı. Şöyle ki, FinFet ile birlikte 3B transistör kullanımına geçen Samsung bu sayede performansı %20 oranında arttırırken güç tüketiminde %35’lik bir gerileme sağlamayı başardı. Bu da son tahlilde en büyük sorun olan ısınmanın önüne geçilmesini sağladı. Ki yukarıda da belirttiğimiz gibi Snapdragon 810’un aksayan ayağı ısınması ve buna mukabil hız düşürmesi ve neticede de performans kaybı yaşatması idi.

Tabii burada bizim en çok merak ettiğimiz nokta ısınma seviyesinin ne düzeyde seyredeceği. Açıkçası 3.0GHz çok yüksek bir sat hızı. Düşünün ki çok da uzak olmayan bir geçmişte aktif soğutmayla çalışan PC işlemcilerinin eriştiği saat hızı idi bu. Haliyle 14nm’lik FinFet’in dahi bu koşullarda ısıyı uzun süreli kontrol altında tutması zor bir ihtimal. Ne de olsa kendi gözlemlerimize göre Galaxy S6, 2.1GHz saat hızında ağır yük altında çalışırken 40 derecelerde seyrediyor ki 3.0GHz çok daha ciddi bir sınır. Tabii henüz yeni iyileştirmeler hakkında bilgi verilmediği için kesin bir şey de söylemek güç.

Akıllı

Gartner’ın son çeyrek verilerine göre, yarı iletken pazarını domine eden isimler Intel (%15.4) ile Samsung (%10.2). Bu arada Haziran ayı sonunda gelecek 2. çeyrek raporunda Mediatek’in de tarihinde ilk kez 10. sıradan listeye girdiğini göreceğiz.

Diğer yandan Samsung’un Galaxy S7’de kullanması beklenen yine kendi üretimi olacak yeni yongaseti Exynos M1’in de selefinden tek çekirdek bazında %45 oranında daha hızlı olacağı ve asıl önemlisi bu 2.3GHz hızında gerçekleştireceği belirtiliyor ki bu da Snapdragon 820’nin üzerindeki saat hızı baskısını ciddi şekilde arttıracak bir diğer faktör. Ne de olsa halihazırda Samsung son nesil Exynos ile birlikte çekirdekleri daha verimli kullanmayı başardı ki bu da rakibinin mecburen saat hızını arttırmaya zorluyor. Mediatek’in 10 çekirdekli işlemcisi de cabası…

Bunun yanısıra Adreno 530 GPU’suna yönelik de şimdilik elimizde olan tek bilgi, oyun performansının konsol kalitesine erişeceği iddiası ki buna da mim düşmekte fayda var. Ne de olsa uzunca bir süreden beri aynı şey söyleniyor olsa da pratikte halen konsolların gerisinde kaldığını biliyoruz.

Velhasıl Snapdragon 820 yongasetli ilk modelin Xiaomi Mi5 olabileceği belirtiliyor ki bunun anlamı da son çeyreğin başlarında (yani Ekim gibi) çıkacak olması demek.

Yorumla

FİKRİNİ BELİRT TARTIŞMAYA KATIL

Bu Yazıya İlk Yorumu Siz Yapın!
nem kurutmakoku giderme